真空鍍膜的種類

 在真（zhēn）空（kōng）中製備膜（mó）層，包括鍍製晶態的金屬、半導體、絕緣體等單質或（huò）化合物膜。雖然化學汽相沉積（jī）也采用減壓、低（dī）壓或等離（lí）子體等真空手段，但一般真空鍍膜是指用物理的方法沉積薄膜。真空（kōng）鍍膜有三種形式，即蒸發鍍膜、濺射鍍（dù）膜和離子鍍。

蒸發鍍膜（mó） 通過（guò）加熱蒸（zhēng）發某種物質使其（qí）沉積在（zài）固體（tǐ）表麵，稱為蒸發鍍膜。這種方法最（zuì）早由M.法拉第於1857年（nián）提出，現代已成為常用鍍膜技術之（zhī）一。

蒸發物（wù）質如金屬、化合物等置於坩（gān）堝內（nèi）或（huò）掛在熱絲上（shàng）作為蒸發（fā）源，待鍍工件，如（rú）金屬、陶瓷、塑料（liào）等基片置於坩堝前方。待係（xì）統抽至高真空後，加熱坩堝使其中的物（wù）質（zhì）蒸（zhēng）發。蒸發物質的原子或分子以冷凝方式沉積在基（jī）片（piàn）表（biǎo）麵。薄膜厚度可由數百埃（āi）至數微米。膜厚決（jué）定於蒸發源的蒸發速率和時間（或決定於裝料量），並與源和基片的距離有關。對於大麵積（jī）鍍膜，常采用旋轉基片或多（duō）蒸發源（yuán）的方式（shì）以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發源到（dào）基片的（de）距（jù）離應小於蒸氣分子在殘餘氣體中的平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分子平均動能約（yuē）為0.1～0.2電子伏。

蒸（zhēng）發源有三種（zhǒng）類型。①電阻加熱源：用難熔金屬如（rú）鎢（wū）、鉭製成舟箔或絲狀,通以電流,加熱（rè）在（zài）它上方的或置於坩堝中的蒸發物質,電阻加熱源主要用於蒸發Cd、

Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料（liào）。②高頻感應加熱源：用高頻感（gǎn）應電（diàn）流加（jiā）熱坩堝和蒸發物質。③電子束加熱源：適用於蒸發溫度（dù）較高（不低於2000[618-1]）的材料（liào），即（jí）用電子束轟擊材料使其蒸發。

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